揚(yáng)杰科技超低導(dǎo)通電壓(VF)橋式整流器系列(封裝6KBJGBU/JA)采用自制的外延(EPI)+平面工藝(Planar)結(jié)構(gòu)制程技術(shù),其通過增加截止環(huán)和終端鈍化層,多次的光照制程, 來實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電壓(VF), 較低的高溫漏電流,優(yōu)良的可靠性. 適用于各種應(yīng)用中的橋式整流器,進(jìn)而提升整體電源效能和更穩(wěn)定的可靠度。
在超低導(dǎo)通電壓(VF)橋式整流器系列中更推出領(lǐng)先市場的800V產(chǎn)品(電流包含了15A/25A/ 35A), 其800V的反向耐壓, 在雷擊(Surge) 測試驗(yàn)證上優(yōu)于同業(yè)600V產(chǎn)品, 超群的電性性能和穩(wěn)定的可靠性, 擁有領(lǐng)先同業(yè)超低導(dǎo)通電壓(VF= 0.77V@125°C), 助力客戶提效降耗。另外因采用外延(EPI)+平面工藝(Planar)結(jié)構(gòu)制程技術(shù), 故反向恢復(fù)QRR/IRM小,恢復(fù)特性軟,EMI特性優(yōu), VF弱溫度系數(shù),較低的高溫漏電流(IR= 10uA@125°C), 正反向折中特性好,即便如此嚴(yán)苛的應(yīng)用環(huán)境下, 也能確??蛻魬?yīng)用上的可靠性和穩(wěn)定性。一般用于要求高的高功率領(lǐng)域。包括AI電源、 服務(wù)器電源、PC電源(80+白金/鈦金PC電源)、通信電源、游戲機(jī)電源等高功率應(yīng)用。
LOW VF產(chǎn)品芯片差異對比:
采用外延(EPI)+平面工藝(Planar)結(jié)構(gòu)制程技術(shù), 超低導(dǎo)通電壓(VF= 0.77V@125°C), 助力客戶提效降耗, 反向恢復(fù)QRR/IRM小,恢復(fù)特性軟,EMI特性優(yōu), 較低的高溫漏電流(IR= 10uA@125°C), 一般用于要求高的高功率領(lǐng)域。
平面工藝(Planar)結(jié)構(gòu)制程技術(shù), VF / IR 在常溫和高溫, 均優(yōu)于常規(guī)VF(GPP), 助力客戶提效降耗. GBJU2508 耐壓800V產(chǎn)品, 在雷擊(Surge) 測試驗(yàn)證上優(yōu)于600V產(chǎn)品。
結(jié)語